GaN自立基板

GaN自立基板 窒化ガリウム自立基板はHVPE（Halide Vapour Phase Epitaxy）技術とウェハ加工技術により製造された単結晶基板です．高い結晶品質、良好な均質性、優れた表

窒化ガリウム自立基板はHVPE（Halide Vapour Phase Epitaxy）技術とウェハ加工技術により製造された単結晶基板です。高い結晶品質、良好な均質性、優れた表面品質を特徴としています。