無錫呉越半導体有限公司（以下当社と言います）は2019年3月に中国の無錫に創業しました。主に窒化ガリウム(GaN)自立基板の研究開発、製造、販売を行っております。世界でも数少ない完全に独立した知的財産権を持つGaN基板メーカーの一つです。 現在、当社の主力製品は2インチおよび4インチのGaN自立基板であり、パワーエレクトロニクス・オプトエレクトロニクス・高周波(RF)デバイスなどの分野で広く応用されています。
当社のコアチームは、窒化ガリウムの量産に豊富な経験を持つ国内外のエキスパートで構成されており、これまで世界トップクラスの種結晶の研究開発技術、窒化ガリウム量産装置の設計・製造技術、高効率な結晶加工技術を習得してきました。
今後も研究開発・量産を継続し、GaN自立基板の更なる大口径化および高品質化を目指します。