GaN厚膜

GaN厚膜 お客様のご要望に応じて, Sapphire, SiCなどの基板上に， HVPEを用いて様々な膜厚のGaN膜を成長することが可能です。(例:GaN膜厚 40 µm)。

お客様のご要望に応じて、Sapphire・SiCなどの基板上に HVPEを用いて様々な膜厚のGaN膜を成長することが可能です。 (例:GaN膜厚 40 µm)

2インチ\| 4インチＧaN厚膜 (下地基板はサファイア・SiCなどが含まれます)
種類	アンドープ(UID)	Siドープ n型	Feドープ半絶縁型
サイズ	50.8 ± 1 mm	50.8 ± 1 mm，100± 1 mm	50.8 ± 1 mm，100± 1 mm
GaN厚さ	40 ± 5 μm	40 ± 5 μm	40 ± 5 μm